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很基礎(chǔ)的MOS管知識

  • 半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱為單極型三極管,因為這種管子是利用電場效應(yīng)控制電流的,所以也叫場效應(yīng)三極管(FET),簡稱場效應(yīng)管。場效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。在如果你在某寶里搜索“場效應(yīng)管”你會發(fā)現(xiàn),搜索出來的基本上是絕緣柵場效應(yīng)管。即使搜索“結(jié)型場效應(yīng)管”,出來的也只有幾種,你是不是懷疑結(jié)型場效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺,沒錯,JFE
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還分不清結(jié)型場效應(yīng)管與絕緣柵?看這一文就夠了,圖表展現(xiàn)

  • JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于,通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導(dǎo),而在 MOSFET 中,導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個關(guān)鍵區(qū)別是,JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小,因為后者嵌入了絕緣體,因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具,具有低漏極電阻,而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”,
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結(jié)型場效應(yīng)管極性判斷方法,幫你搞定jfet極性判斷

  • 今天給大家講講結(jié)型場效應(yīng)管極性判斷方法。用萬用表來判斷JFET極性相對來說比較簡單,因為只有一個PN結(jié)要測:要么在柵極和源極之間測量,要么在柵極和漏極之間測量。1、結(jié)型場效應(yīng)管極性判斷方法--引腳識別JFET的柵極對應(yīng)晶體管的基極,源極對應(yīng)晶體管的發(fā)射極,漏極對應(yīng)晶體管的集電極。在這之前講過關(guān)于三極管測好壞的方法,極性的判斷??梢渣c擊標(biāo)題直接跳轉(zhuǎn)。三極管的測量方法和管腳辨別方法,一文總結(jié),幾分鐘教你學(xué)會將萬用表設(shè)置為“R×1k”,用兩根表筆測量 每兩個引腳之間的正反向電阻。當(dāng)兩個引腳的正反向電阻均為幾千歐
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晶體管分類有哪些?收藏這一張圖就夠了!

  • 本文來自公眾號:8號線攻城獅,主要介紹了晶體管分類,并以NPN BJT為例,分析了晶體管的參數(shù)和特性。
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如何成為硬件高手

  •   摘要:駕駛著進(jìn)取號電子飛船,從發(fā)射區(qū)進(jìn)入充滿黑洞的基區(qū),一些同伴被黑洞束縛,一些擄去另一世界,你幸運地躲過一劫飛到集電結(jié),受到強(qiáng)大的吸力快速渡越出集電區(qū),漫游在低阻導(dǎo)線上,松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風(fēng)順,阻力重重的負(fù)載中到處碰壁……  古人學(xué)問無遺力,少壯工夫老始成。若問硬件速成法,猶似浮沙立大廈。千萬別認(rèn)為看后就能成為高手,當(dāng)然筆者亦非高手,水滴石穿又豈是朝夕之功!謹(jǐn)以過往經(jīng)歷和拙見與在校學(xué)生朋友和剛工作的工程師分享共勉?! ±碚搶W(xué)習(xí)  沒有滿腹經(jīng)綸,何能出口成章。但覺得書海茫茫,不知從何
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結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)的基礎(chǔ)知識

  •   結(jié)構(gòu)與符號:  ? ?  在N區(qū)兩側(cè)擴(kuò)散兩個P+區(qū),形成兩個PN結(jié)。兩個P+區(qū)相連,引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。  導(dǎo)電原理:  ? ?  (1)VGS=0時,N型棒體導(dǎo)電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后,溝道中的電流最大。  (2)VGS<0時,耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬),并向溝道中間延伸,溝道變窄?! ‘?dāng)VGS
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CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流

  •   由于具有較低的偏置電流,人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運算放大器。然而你應(yīng)該意識到,這個事實還與很多其它的原因相關(guān)?! MOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設(shè)計附加的電路來對脆弱的柵極進(jìn)行ESD和EOS保護(hù)。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護(hù)電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實現(xiàn)。圖1a中的OPA320就是一個例子。這些二極管會存在大約幾皮安的漏電流。當(dāng)輸入電壓大約達(dá)到電源軌中間值的時候,漏電流匹配的相當(dāng)好,僅僅會存在小于1皮安的殘余誤差電流
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場效應(yīng)管工作原理- -場效應(yīng)管工作原理也瘋狂

  • 一、場效應(yīng)管的工作原理- -概念   場效應(yīng)管(FET)是場效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡稱,由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,也稱為單極性場效應(yīng)管,是一種常見的利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件,場效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點,而且輸入回路的內(nèi)阻高達(dá)107~1012Ω,噪聲低,熱穩(wěn)定性好,抗輻射能力強(qiáng),且比后者耗電省,這些優(yōu)點使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
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挑戰(zhàn)毫微安小電流測量技術(shù)

  • 幾千種應(yīng)用都需要測試小電流的電路,最常見的是測量二極管受光照射所產(chǎn)生的光電電流。一些科學(xué)應(yīng)用(如CT...
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確定JFET特性的簡單電路

  • 當(dāng)使用分立的JFET時,設(shè)計者可能需要將大量可變的器件參數(shù)與某個給定的晶體管型號相適應(yīng)。一般會使用平方律方程,作為JFET漏極電流特性的一個近似模型:ID=beta;(VGS-VP)2,其中,ID是漏極電流,VGS是柵源電壓,be
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JFET級聯(lián)實現(xiàn)恒定精確電流源的方法

  • 很多工藝控制傳感器(如熱敏電阻器和應(yīng)變橋)都需要精確的偏置電流。增加一只電流設(shè)置電阻器R1后,電壓基準(zhǔn)電路IC ...
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英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

  • 在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質(zhì)國際研討會與展覽會”上,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列,該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC(碳化硅)產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地位。這個革命性的新產(chǎn)品系列,立足于英飛凌在SiC技術(shù)開發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗。
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Power Integrations將銷售SiC二極管和JFET

  • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場銷售創(chuàng)新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產(chǎn)品的協(xié)議。
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電腦的麥克風(fēng)電路以及JFET-MOSFET耳機(jī)功放電路

  • 電腦的麥克風(fēng)電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
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德州儀器推出業(yè)界速度最快的 JFET 輸入放大器

  •   日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運算放大器,其可實現(xiàn)3 倍于同類競爭產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率,從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。上述放大器將寬帶電壓反饋放大器與高阻抗 JFET 輸入級完美結(jié)合,可通過其高頻率帶寬和低總諧波失真充分滿足頻率域與 FET 分析的需求。   OPA653 與 OPA659 的主要特性與優(yōu)勢 業(yè)界最佳的壓擺率與低失真可提高時間域和脈沖型應(yīng)用的信號完整性:     o OPA653 是一款具有 2675
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jfet介紹

  最早具有實際結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管是在N型或者P型半導(dǎo)體基片上制作一對PN結(jié)及相應(yīng)的金屬電極,兩個PN結(jié)之間有導(dǎo)電溝道,通過改變外加PN界的反向偏置電壓,以改變PN結(jié)耗盡層的厚度,從而達(dá)到改變溝道區(qū)載流子密度以控制溝道輸出電流的目的,因此,這種場效應(yīng)管也被稱為PN結(jié)型場效應(yīng)晶體管,即PN JFET(PN Junction FET),通常也稱JFET。   什么是 JFET   一種單極的三層晶 [ 查看詳細(xì) ]

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